H5TQ1G63DFR-H9C HYNIX FBGA
H5TQ1G63DFR-H9C HYNIX FBGA
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

H5TQ1G63DFR-H9C HYNIX FBGA

基本信息

  • 制造商: SK hynix (原 Hynix)
  • 型号: H5TQ1G63DFR-H9C
  • 类型: DDR2 SDRAM
  • 容量: 1Gb (128M x 8位)
  • 封装形式: FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array), 84-ball
  • 工作电压: 1.8V
  • 工作温度范围: -40°C 到 +85°C(工业级)

 

主要功能

  • 数据传输速率:
    • 支持的数据速率高达 800Mbps。
  • 时序特性:
    • 具有快速的读写访问时间,适用于对速度要求较高的应用。
  • 功耗管理:
    • 支持 CKE 功能,可以进入低功耗模式以节省电力消耗。
  • 预充电和刷新:
    • 提供自动刷新功能,确保数据在长时间内保持稳定。
    • 预充电操作可以在短时间内完成行激活到关闭的过程,从而提高效率。
  • 错误检测与纠正:
    • 不具备内置的ECC (Error Correction Code)功能,但可通过外部控制器实现。

 

应用领域

  • 个人计算机: 包括台式机和笔记本电脑中的系统内存。
  • 服务器和工作站: 对于需要大量内存带宽的应用来说是一个很好的选择。
  • 消费电子产品: 如游戏主机、高清电视等多媒体设备中作为缓冲存储使用。
  • 网络通信设备: 路由器、交换机以及其他网络硬件可能也需要这样的高速RAM来处理大量数据包。
  • 嵌入式系统: 在某些高性能嵌入式设计中,这种类型的DDR2内存同样适用。

 

封装细节

  • 该芯片采用的是FBGA封装技术,这是一种高密度引脚布局方式,特别适合于集成电路的小型化需求。对于H5TQ1G63DFR-H9C而言,其具体的封装尺寸为12mm x 13mm,共有84个球栅排列,这使得它能够被紧凑地安装在电路板上,并且有利于散热。

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