K4B2G1646C-HCH9 SAMSUNG FBGA96

基本信息

• 制造商: 三星 (Samsung)
• 型号: K4B2G1646C-HCH9
• 类型: DDR3 SDRAM
• 容量: 2Gb (256M x 8位)
• 封装形式: FBGA96 (Fine-Pitch Ball Grid Array), 96-ball
• 工作电压: 1.5V
• 工作温度范围: 0°C 到 +70°C（商业级）

主要功能

• 数据传输速率:
  • 支持的数据速率高达 1600Mbps。
• 时序特性:
  • 具有快速的读写访问时间，适用于对速度要求较高的应用。
• 功耗管理:
  • 支持 CKE 功能，可以进入低功耗模式以节省电力消耗。
  • 采用更低的工作电压（1.5V），相比DDR2进一步降低了功耗。
• 预充电和刷新:
  • 提供自动刷新功能，确保数据在长时间内保持稳定。
  • 预充电操作可以在短时间内完成行激活到关闭的过程，从而提高效率。
• 错误检测与纠正:
  • 不具备内置的ECC (Error Correction Code)功能，但可通过外部控制器实现。

应用领域

• 个人计算机: 包括台式机和笔记本电脑中的系统内存。
• 服务器和工作站: 对于需要大量内存带宽的应用来说是一个很好的选择。
• 消费电子产品: 如游戏主机、高清电视等多媒体设备中作为缓冲存储使用。
• 网络通信设备: 路由器、交换机以及其他网络硬件可能也需要这样的高速RAM来处理大量数据包。
• 嵌入式系统: 在某些高性能嵌入式设计中，这种类型的DDR3内存同样适用。

封装细节

• 该芯片采用的是FBGA96封装技术，这是一种高密度引脚布局方式，特别适合于集成电路的小型化需求。对于K4B2G1646C-HCH9而言，其具体的封装尺寸为13mm x 14mm，共有96个球栅排列，这使得它能够被紧凑地安装在电路板上，并且有利于散热。

技术规格

• 频率: 1600 MHz
• 延迟: CL=11, RCD=11, RP=11, RAS=31
• I/O总线宽度: 8位