H5TQ2G63BFR-H9C HYNIX BGA
H5TQ2G63BFR-H9C HYNIX BGA
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

H5TQ2G63BFR-H9C HYNIX BGA

基本信息:

  • 制造商:SK海力士(Hynix Semiconductor)
  • 型号:H5TQ2G63BFR-H9C
  • 封装类型:BGA(Ball Grid Array,球栅阵列封装)

 

基本规格:

  • 存储类型:DDR3 SDRAM(同步动态随机存取存储器)
  • 存储容量:2Gb (Gigabit),即256MB (Megabyte)

 

主要功能:

  • 工作电压

    • VDDQ:1.5V ± 0.1V 主供电电压,支持1.35V低电压模式(若支持的话)
  • 接口类型:BGA 封装,提供了更高的集成度,适用于PCB空间受限的设计场合。

  • 读写速度

    • DDR3 SDRAM 提供了较高的数据传输速率,具体速率取决于该芯片的实际规格(如DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333等),但一般情况下可达到几百MB/s至几GB/s的数据带宽。
  • 可靠性

    • 设计上支持ECC(Error Correcting Code)错误校验,增强数据完整性及系统稳定性。
    • 具备自刷新功能,确保数据在无外部干预情况下的正确性。
  • 功耗特性

    • 采用先进的制造工艺,有效降低功耗,提高能效比,适合移动设备等对能耗敏感的应用场合。

 

应用领域:

  • 消费电子:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备,为其提供高效的数据缓冲与临时存储能力。
  • 工业控制:可用于工控机、数据采集终端等,支持复杂计算任务的同时确保数据处理速度与安全性。
  • 汽车电子:在现代智能汽车中扮演重要角色,如用于信息娱乐系统、驾驶辅助系统等,满足高性能计算需求的同时保障系统的响应速度。
  • 通信设备:广泛应用于服务器、网络设备等领域,作为核心内存组件,支撑大数据量、高并发处理任务。

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