NAND128W3A2BN6E MICRON TSOP48
NAND128W3A2BN6E MICRON TSOP48
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

NAND128W3A2BN6E MICRON TSOP48

基本信息

  • 型号:NAND128W3A2BN6E
  • 品牌:Micron(美光)
  • 类型:NAND Flash
  • 封装形式:TSOP II 48-pin
  • 存储容量:128Mb (16MB)
  • 组织结构:(512+16)×(2,048+64)位
  • 工作电压:3.3V ±0.3V
  • 接口:异步并行接口
  • 温度范围:商业级 -40°C 至 +85°C

 

主要功能

  • 高密度存储:虽然相对于现代标准来说容量较小,但仍然提供了在小型封装中实现大量数据存储的能力。
  • 快速读写速度:支持较高的读取与编程速度,适合于需要频繁访问数据的应用。
  • 低功耗设计:通过优化电路设计减少电力消耗,延长电池寿命。
  • 错误检测与纠正:内置ECC(Error Correction Code)机制,能够自动检测并修正部分错误,提高数据可靠性。
  • 多种命令集支持:包括读取、写入、擦除等标准NAND Flash操作指令。
  • 坏块管理:芯片中预留了一定数量的备用块来替换可能出现故障的物理块,确保整个设备的可用性和稳定性。

 

应用领域

  • 嵌入式系统:适用于各种嵌入式计算平台,如工业控制单元、医疗设备等,特别是在对成本敏感且不需要大容量存储的情况下。
  • 消费电子产品:低端或早期版本的数字相机、便携式媒体播放器等需要本地存储介质的产品。
  • 网络通信设备:某些路由器、交换机等网络设备中的配置存储。
  • 手持设备:一些老式的PDA(个人数字助理)、掌上游戏机等。
  • 教育和研究:作为学习和实验用途,在教学环境中用于演示NAND Flash的工作原理及其编程方法。

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