K4T51163QJ-BCE6 SAMSUNG FBGA84

基本信息

• 型号：K4T51163QJ-BCE6
• 制造商：三星（Samsung）
• 封装类型：FBGA84 (Fine-pitch Ball Grid Array)
• 存储容量：32M x 16 = 512 Mbit (64 MB)
• 内存技术：DDR2 SDRAM
• 工作电压：通常为 1.8V
• 工作温度范围：商业级通常是 0°C 到 +70°C；工业级版本可能支持更宽的温度范围。
• 安装类型：表面贴装

主要功能

• 高速数据传输：DDR2 技术提供比标准 DDR 更快的数据传输速度。
• 低功耗设计：通过降低工作电压来减少功耗，有助于提高能效。
• 预取架构：DDR2 使用 4n 预取架构以优化数据访问效率。
• ODT (On-Die Termination)：片上端接电阻帮助改善信号完整性。
• 支持多种操作模式：包括读取、写入和刷新等标准 SDRAM 操作。

应用领域

• 计算机硬件：用于台式机和笔记本电脑中的主内存条。
• 服务器：适用于需要高性能计算能力的服务器主板。
• 嵌入式系统：在各种需要缓存的应用场合中使用，例如网络设备和路由器。
• 消费电子产品：如高清电视、游戏机和其他多媒体处理设备。
• 工业控制：自动化控制系统中，特别是那些需要可靠数据处理能力的部分。

其他特性

• 时序参数：具体的数值取决于实际的产品规格表，但一般会包括 tRCD (行到列延迟)、tRP (行预充电时间) 等关键时序指标。
• 兼容性：符合 JEDEC 标准，确保与其他 DDR2 设备的良好兼容性。
• 可靠性：具有良好的抗干扰能力和稳定性，适合长时间连续工作的场景。

具体规格示例

• 组织结构：此芯片的组织结构是 32M x 16。
• 时钟频率：常见的时钟频率为 PC667 或更高。
• 突发长度：固定为 4 或 8 字节。