BZX84B6V8LT1G
BZX84B6V8LT1G
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

BZX84B6V8LT1G

基本信息

  • 型号: BZX84B6V8LT1G
  • 制造商: 安森美半导体(Onsemi)
  • 类型: 齐纳二极管
  • 封装类型: SOT23 (小外形晶体管封装)
  • 反向击穿电压 (Vz): 6.8V ±5% @ Izt = 5mA
  • 最大功率耗散 (Ptot): 500mW @ Ta = 25°C
  • 工作温度范围: -65°C 至 +150°C

 

主要功能

  • 电压调节: 在达到特定的反向击穿电压时开始导通,从而为电路提供稳定的电压参考。
  • 保护作用: 可用于过压保护,当输入电压超过预设值时,齐纳二极管将电流旁路到地,以保护敏感元件不受损害。
  • 低噪声特性: 由于其内部结构设计,这类器件通常具有较低的噪声水平,适合对信号完整性要求较高的应用场合。
  • 小型化封装: SOT23封装非常紧凑,有助于节省PCB空间,并且便于在便携式设备中使用。

 

应用领域

  • 电源管理电路:作为稳压器的一部分或独立的电压基准源。
  • 电子消费产品:如手机、平板电脑等移动设备中的低压稳压电路。
  • 汽车电子:在车载娱乐系统或其他需要精确电压控制的地方。
  • 工业自动化:传感器接口、数据采集卡等地方用来提供稳定的参考电压。
  • 通信设备:网络路由器、交换机等通讯设施内用于各种电压调整需求。

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