SIRA28BDP-T1-GE3-G

基本信息

• 型号: SIRA28BDP-T1-GE3
• 类型: N 通道功率 MOSFET
• 制造商: Vishay
• 封装形式: PowerPAK SO-8，这是一种表面贴装的封装形式，适合于高密度PCB设计。
• 工作电压 (Vds): 30 V
• 连续漏极电流 (Id) @ 25°C TA: 38 A
• 导通电阻 (Rds(on)) @ Vgs = 10 V: 0.0061 Ω
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

主要功能

• 低导通电阻: Rds(on)仅为0.0061Ω，在保证较低功耗的同时能够承载较高的电流。
• 高电流能力: 支持高达38A的连续漏极电流，适用于大电流负载。
• 高效散热性能: PowerPAK SO-8封装有助于提高热管理效率。
• 快速开关特性: 具有较快的开关速度，可以减少开关损耗，提高系统效率。
• ESD保护: 内置静电放电(ESD)保护机制，增强了设备的可靠性。

应用领域

• 电源转换器: 在AC/DC或DC/DC转换器中作为主开关使用。
• 电机控制: 用于电动工具、家电等产品的无刷直流电机(BLDC)控制器。
• 消费电子: 广泛应用于各种消费电子产品中的电源管理和电池充电电路。
• LED照明: 适用于LED驱动器，尤其是那些要求高效能和紧凑设计的产品。
• 工业自动化: 用于各类工业控制系统中的开关元件。