MMBT3904T

基本信息

• 型号：MMBT3904T
• 类型：NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
• 封装：SOT-523
• 制造商：ON Semiconductor
• 最大集电极-发射极电压 (Vceo)：40V
• 最大集电极电流 (Ic)：200mA
• 最大功率耗散 (Ptot)：100mW (@Ta=25°C)
• 工作温度范围：-65°C to +150°C

主要功能

• 开关应用：由于其快速的开关特性和较低的饱和电压，MMBT3904T非常适合用于各种开关电路。
• 信号放大：具有较高的电流增益(hFE)，适用于需要良好线性度的模拟电路设计中。
• 小尺寸：SOT-523封装使得该晶体管非常适合于空间受限的设计项目。

技术规格

• 直流电流增益 (hFE) @ Ic = 10mA, Vce = 1V：最小值为100
• 集电极-基极饱和电压 (Vce(sat)) @ Ic = 150mA, Ib = 15mA：最大值为0.75V
• 发射极-基极饱和电压 (Vebo) @ Ie = 100μA：最大值为6V
• 存储时间 (ts) @ Ic = 10mA, Vcc = 10V：最大值为20ns
• 上升时间 (tr) @ Ic = 10mA, Vcc = 10V：最大值为20ns
• 下降时间 (tf) @ Ic = 10mA, Vcc = 10V：最大值为20ns

应用领域

• 消费电子产品：如音频设备中的信号处理和电源管理。
• 工业控制：用于传感器信号调节或简单逻辑门构建。
• 汽车电子：在车辆内部的各种控制系统里作为开关元件使用，例如车灯控制、电机驱动等。
• 通信设备：可以在无线通信模块内实现低功耗放大功能。
• 玩具与游戏控制器：提供低成本但可靠的电气连接解决方案。