2N3906TAR
2N3906TAR
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

2N3906TAR

基本信息

  • 型号:2N3906TAR
  • 类型:PNP 双极结晶体管 (BJT)
  • 封装:TO-92-3
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C

 

技术规格

  • 集电极-发射极电压 (VCEO):40 V
  • 集电极-基极电压 (VCBO):50 V
  • 发射极-基极电压 (VEBO):5 V
  • 集电极电流 - DC (IC):200 mA
  • 功率耗散 (PD @ Ta=25°C):625 mW
  • 结温 (Tj):最高可达 150°C
  • 直流电流增益 (hFE)@IC=100mA, VCE=10V:大于 100

 

主要功能

  • 信号放大:由于其高增益特性,2N3906TAR 可以有效地放大微弱的输入信号。
  • 开关操作:通过控制基极电流可以实现对集电极到发射极之间连接状态的快速切换。
  • 低功耗设计:适用于需要较小功耗的应用场合。
  • 良好的热稳定性:能够在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。

 

应用领域

  • 消费电子产品:如音频放大器、电源管理电路等。
  • 工业控制:用于传感器信号处理、继电器驱动等领域。
  • 汽车电子:在车辆内部的各种控制单元中扮演重要角色。
  • 通信设备:包括调制解调器、无线通信模块中的前置放大级。
  • 教育与实验:常被用作教学演示或小型电子项目开发的基础组件之一。

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