1N4934RLG

基本信息

• 型号: 1N4934RLG
• 类型: 快速恢复二极管 (Fast Recovery Diode)
• 制造商: ON Semiconductor（安森美半导体）
• 封装形式: DO-41 (轴向引线封装)
• 环保类别: 通常为RoHS合规

技术规格

• 最大反向峰值电压 (VRRM): 100V
• 平均正向整流电流 (IF(AV)): 1.0A
• 最大单周期半正弦浪涌电流 (I FSM): 30A
• 正向压降 (VF) @ IF = 1A, TJ = 25°C: 典型值约为1.1V
• 反向漏电流 (IR) @ VR = 75V, TJ = 25°C: 最大值通常在几微安到几十微安之间
• 工作温度范围 (TJ): -55°C 至 +150°C

主要功能

• 快速恢复时间: 与标准二极管相比，具有更快的恢复时间，这使得它在高频或快速切换的应用中更加适用。
• 高效率: 由于其较低的正向压降和快速恢复特性，可以在减少功率损耗的同时提高电路效率。
• 良好的浪涌能力: 能够承受较高的瞬态电流冲击，提供一定的过载保护能力。

应用领域

• 电源供应器: 用于AC/DC转换器中的整流部分。
• 逆变器和转换器: 在需要高效能和快速响应的电力电子设备中使用。
• 电机控制: 电动机驱动电路中的整流或续流元件。
• 消费电子: 例如电视机、显示器等家电产品中的电源模块。
• 工业控制: 工业自动化系统中的电源管理。
• 汽车电子: 汽车充电系统和其他车载电源管理系统。