IPA80R1K4P7

基本信息

• 制造商: 英飞凌（Infineon）
• 型号: IPA80R1K4P7
• 类型: N沟道增强型功率MOSFET
• 封装类型: TO-220
• 工作电压范围: Vds最大可达800V
• 连续漏极电流: Id 最大值为1A
• 导通电阻 (Rds(on)): 在25°C时大约为4.7Ω
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C

主要功能

• 高电压处理能力: 能够承受高达800V的电压，适用于高压环境下的开关操作。
• 低导通损耗: 相对于其尺寸和额定电流而言，具有较低的导通电阻，有助于减少能量损失并提高效率。
• 快速开关速度: 设计上优化了开关特性，以实现快速响应时间和较小的开关损耗。
• 良好的热性能: 采用TO-220封装，该封装形式拥有较大的散热片，有利于在较高功率下进行有效散热。

应用领域

• 开关电源: 可用于SMPS（Switch Mode Power Supply）中的初级侧或次级侧。
• 逆变器和转换器: 在需要高效能且紧凑设计的电力电子设备中作为开关元件。
• 照明控制: 适用于LED驱动电路等需要精确控制的场合。
• 电机驱动: 适合于低压直流电机的控制。
• 工业控制系统: 在需要高可靠性和良好热管理的应用中使用。