H9DA1GG51HAMBR-4EM

基本信息

• 型号: H9DA1GG51HAMBR-4EM
• 制造商: SK hynix
• 类型: DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
• 容量: 1Gb (Gigabit) 或者说是 128MB (Megabytes)

技术规格

• 组织结构: 1Gx8 (即1 Gigabit × 8位宽的数据总线)
• 工作电压: 1.5V ±0.075V
• 速度等级: -4EM 表示其时钟频率为 1600Mbps (等效于 PC3-12800)
• 温度范围: 商业级 (-40°C 至 +85°C) 或工业级
• 封装类型: BGA 

主要功能

• 高带宽性能: DDR3技术通过预读取机制提高了数据传输效率，相较于DDR2进一步减少了延迟时间。
• 低功耗设计: 相比前代DDR2内存，DDR3在相同性能水平下能够降低约30%的能耗。
• 自动刷新与自刷新模式: 支持多种刷新策略以保持数据完整性同时优化功耗。
• 片上端接电阻: 内置端接电阻有助于简化电路板设计并减少外部组件需求。
• 支持多种操作模式: 包括标准读写、突发传输等特性，满足不同应用场景的需求。

应用领域

• 个人电脑和笔记本电脑: 提供快速的数据访问速度，改善整体系统性能。
• 服务器和数据中心: 高密度、高性能内存解决方案对于大规模数据处理至关重要。
• 嵌入式系统: 在要求较高计算能力和低延迟的应用场合中使用。
• 消费电子产品: 如游戏机、高端多媒体播放器等对图形处理有较高要求的产品。
• 网络通信设备: 路由器、交换机等设备可能也需要此类高效能的内存来支持高速数据转发。