FM61D1G12A-5BGE

基本信息

• 制造商: ESMT（Elite Semiconductor Memory Technology，精英半导体存储技术）
• 型号: FM61D1G12A-5BGE
• 类型: DDR3 SDRAM
• 容量: 1 Gb (128M x 8)
• 工作电压: 1.5V ± 0.075V
• 工作温度范围: 商业级: 0°C to 70°C, 工业级: -40°C to 85°C
• 封装类型: BGA (Ball Grid Array) 96-ball

主要功能

• 数据速率:
  • 支持的数据传输速率为1066 Mbps (等效于DDR3-1066或PC3-8500)
  • 标准时钟频率为533 MHz
• 时序参数:
  • CL (CAS Latency): 一般为7或9个时钟周期
  • tRCD (Row to Column Delay): 通常在7到9个时钟周期之间
  • tRP (Row Precharge Time): 通常为7到9个时钟周期
  • tRAS (Active to Precharge Command Time): 通常为18到24个时钟周期
• 接口类型: 标准DDR3 SDRAM接口
• 数据宽度: 8位宽的数据总线
• 功耗特性:
  • 低功耗设计，适合移动和便携式设备
  • 支持自动刷新和自刷新模式以降低功耗

应用领域

• 消费电子:
  • 笔记本电脑和平板电脑
  • 智能手机和其他移动设备
  • 数码相机和摄像机
  • 游戏机
• 工业控制:
  • PLC（可编程逻辑控制器）
  • 自动化设备
  • 工业计算机
• 汽车电子:
  • 车载娱乐系统
  • 导航系统
  • ADAS（高级驾驶辅助系统）
• 网络设备:
  • 路由器
  • 交换机
  • 服务器