ATSAMD51G18A-MF
ATSAMD51G18A-MF
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

ATSAMD51G18A-MF

基本信息

  • 制造工艺:通常情况下,这类MCU会采用先进的CMOS工艺制造,但具体的制造工艺节点需要查阅官方数据手册。
  • 工作电压:通常为1.8V到3.6V之间,适用于多种供电环境。
  • 工作温度范围:商用级一般为0°C至70°C;工业级则可扩展至-40°C至85°C。
  • 封装类型:MF后缀表明这是一个特定的封装选项,可能是QFP(Quad Flat Package)或其他类型的封装,具体引脚数需查阅数据手册确认。

 

主要功能

  • 处理速度:ATSAMD51系列MCU基于ARM Cortex-M4内核,带有浮点单元(FPU),主频可达120MHz,提供了高性能的处理能力。
  • 存储容量:ATSAMD51G18A具有192KB的闪存存储器和32KB的SRAM,适合运行复杂的应用程序。
  • 接口类型:支持多种接口,如USB、CAN、SPI、I²C、USART等,方便连接外围设备。
  • 功耗特性:具备多种节能模式,可以根据应用需求调整功耗。

 

应用领域

  • 消费电子:适用于需要高性能计算能力和丰富外设接口的智能设备,如家用电器、智能手表等。
  • 工业控制:由于其可靠性和广泛的温度操作范围,适用于自动化控制系统、传感器网络等领域。
  • 汽车电子:可用于车载娱乐系统、车身控制模块等非关键安全应用。
  • 通信设备:适合用于设计要求高速数据处理和低延迟响应的通信装置。

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