2SK957-MR
2SK957-MR
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

2SK957-MR

基本信息

  • 制造商:富士通(Fujitsu)
  • 型号:2SK957-MR
  • 制造工艺:硅栅N沟道增强型MOSFET技术
  • 工作电压:漏源极电压 ���VDS​ 最高达 200V
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  • 封装类型:TO-220AC(三引脚塑料封装)

 

主要功能

  • 高耐压:漏源极电压 ���VDS​ 最高达 200V,适用于高压应用
  • 低导通电阻:导通电阻 ���(��)RDS(on)​ 低至 0.6Ω(在 ���=10�VGS​=10V 时),有助于减少功率损耗
  • 高开关速度:具有较快的开关速度,适合高频应用
  • 高电流能力:连续漏极电流 ��ID​ 最高达 10A,峰值电流可达 50A(脉冲条件下)
  • 低栅极电荷:栅极电荷 ��Qg​ 小,有助于提高开关效率
  • 热稳定性:具有良好的热稳定性,可在高温环境下长时间工作

 

应用领域

  • 电源管理:开关电源、直流-直流转换器、逆变器等
  • 电机控制:无刷直流电机、步进电机、伺服电机等
  • 工业自动化:工业控制系统、传感器接口、驱动电路等
  • 汽车电子:车载电子系统、电池管理系统、电机驱动等
  • 消费电子:家用电器、音响设备、充电器等

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