2SK957-MR

基本信息

• 制造商：富士通（FUJITSU）
• 型号：2SK957-MR
• 封装：TO-220-N
• 类型：N沟道增强型MOSFET

技术规格

• 最大漏源电压 ���VDS​：200V
• 最大栅源电压 ���VGS​：±20V
• 最大连续漏极电流 ��ID​：10A
• 最大脉冲漏极电流 ���IDM​：30A（脉冲宽度≤10ms，每10秒重复一次）
• 导通电阻 ���(��)RDS(on)​：0.18Ω（当 ���=10�VGS​=10V 时）
• 栅极电荷 ��Qg​：约50nC
• 最大结温 ��TJ​：150°C
• 存储温度范围：-65°C至+150°C
• 工作温度范围：-55°C至+150°C

封装信息

• 封装类型：TO-220
• 引脚数：3个引脚
  • 漏极 (D)
  • 源极 (S)
  • 栅极 (G)

主要功能

• 高耐压：适用于高压电路，如电源开关、逆变器等。
• 低导通电阻：在大电流应用中具有较低的功率损耗。
• 快速开关：适合高频开关应用，如开关电源、电机驱动等。
• 高可靠性：广泛应用于工业和汽车电子领域，具有良好的稳定性和耐用性。

应用领域

• 电源管理：开关电源、DC-DC转换器、电池充电器。
• 电机控制：无刷直流电机（BLDC）、步进电机驱动。
• 工业控制：变频器、伺服驱动器、PLC（可编程逻辑控制器）。
• 汽车电子：汽车点火系统、电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块。
• 通信设备：电信基站、网络设备的电源部分。