2SK2666

基本信息

• 型号: 2SK2666
• 厂家: SHINDENGEN
• 类型: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 封装类型: TO-220F
• 工作电压:
  • 漏源电压 VDS​: 500V
  • 栅源电压 VGS​: ±20V
• 工作电流:
  • 连续漏极电流 ID​: 12A
  • 脉冲漏极电流 IDm​: 36A (脉宽 ≤ 10μs, 每周期占空比 ≤ 1%)
• 工作温度范围:
  • 结温 TJ​: -55°C 至 +150°C
  • 储存温度 TS​TG: -55°C 至 +150°C

主要功能

• 核心功能: 2SK2666 是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高电压、大电流的开关电路中。其主要特点包括：
  • 高耐压: 最大漏源电压为500V，适用于高压环境。
  • 大电流: 连续漏极电流可达12A，适合大功率应用。
  • 低导通电阻: 在栅源电压为10V时，导通电阻 ���(��)RDS(on)​ 为0.5Ω，有助于降低功耗。
  • 快速开关: 具有较短的开关时间和低开关损耗，适用于高频开关应用。
  • 低栅极电荷: 栅极电荷 ��Qg​ 较小，有助于提高开关速度和效率。
  • 高可靠性: 采用先进的制造工艺，具有良好的热稳定性和长寿命。

应用领域

• 电源管理: 开关电源、直流变换器、逆变器等。
• 电机驱动: 电动工具、家用电器、工业电机控制等。
• 照明系统: LED照明、荧光灯镇流器等。
• 汽车电子: 汽车点火系统、车载充电器、电动车辆控制器等。
• 工业控制: 可编程逻辑控制器（PLC）、工业自动化设备等。