MT53E256M32D2DS-053AAT:B

基本信息

• 制造商：美光科技（Micron Technology）
• 型号：MT53E256M32D2DS-053AAT:B
• 制造工艺：先进的半导体制造工艺
• 工作电压：1.2V（核心电压），1.8V（I/O电压）
• 工作温度范围：-40°C 至 +85°C，适用于商业和工业应用
• 封装类型：FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）

主要功能

• 存储容量：256Mb（32MB）
• 存储类型：DDR2 SDRAM（Double Data Rate 2 Synchronous Dynamic Random Access Memory）
• 数据速率：最高可达400Mbps（200MHz时钟频率）
• 接口类型：标准DDR2 SDRAM接口
• 功耗特性：低功耗设计，适用于便携式设备
• 刷新周期：8192个周期（tREF = 64ms）
• 突发长度：4或8字节
• 预充电命令：支持自动预充电和批量预充电
• 错误检测：支持奇偶校验
• 封装尺寸：12mm x 20mm x 1.2mm

应用领域

• 消费电子：智能手机、平板电脑、智能电视等
• 计算机系统：笔记本电脑、台式机、服务器等
• 网络设备：路由器、交换机、防火墙等
• 嵌入式系统：工业控制器、医疗设备、汽车电子等
• 物联网设备：智能家居设备、可穿戴设备等