MC33269DR2-5.0G
MC33269DR2-5.0G
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

MC33269DR2-5.0G

基本信息

  • 制造商:NXP Semiconductors
  • 型号:MC33269DR2-5.0G
  • 制造工艺:BiCMOS(Bipolar CMOS)工艺
  • 工作电压:输入电压范围为 2.7V 至 40V
  • 输出电压:固定输出电压为 5.0V
  • 工作温度范围:-40°C 至 +125°C(扩展温度范围)
  • 封装类型:SOP8

 

主要功能

  • 输出电流:最大输出电流可达 1.5A
  • 低静态电流:典型值为 5.5mA,有助于提高效率
  • 低dropout电压:典型值为 1.2V,允许在输入电压接近输出电压时仍能稳定工作
  • 内置保护功能
    • 过热保护(Thermal Shutdown)
    • 过流保护(Current Limiting)
  • 启动时间:典型值为 2ms
  • 纹波抑制比:典型值为 70dB,有效减少输出电压的噪声
  • 封装引脚
    • 1:输入(IN)
    • 2:接地(GND)
    • 3:输出(OUT)
    • 4:使能(EN)
    • 5:调整(ADJ)

 

应用领域

  • 消费电子:在手机充电器、便携式设备、音频设备等中用于电源管理。
  • 工业控制:在工业控制系统、传感器模块、电机驱动器等中用于提供稳定的电源。
  • 汽车电子:在车载电子设备、电池管理系统、照明系统等中用于电源调节。
  • 通信设备:在网络路由器、交换机、基站等中用于电源管理。
  • 医疗设备:在便携式医疗设备、监测仪器等中用于提供稳定的电源。

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