IPD26N06S2L-35

基本信息

• 型号: IPD26N06S2L-35
• 制造商: Infineon Technologies
• 封装类型: TO-252 (DPAK)
• 类型: N沟道增强型MOSFET
• 制造工艺: DMOS
• 工作电压:
  • 漏源电压 (VDS): 60V
  • 栅源电压 (VGS): ±20V
• 工作温度范围:
  • 结温 (TJ): -55°C to +175°C
  • 存储温度 (TSTG): -65°C to +175°C
• 最大连续漏极电流 (ID): 26A (在25°C时)
• 最大脉冲漏极电流 (IDM): 78A (10μs, 单脉冲)

主要功能

• 导通电阻 (RDS(on)):
  • 典型值: 2.7mΩ (在VGS = 10V时)
  • 最大值: 3.5mΩ (在VGS = 10V时)
• 栅极电荷 (Qg):
  • 总栅极电荷: 47nC
• 开关时间:
  • 开启时间 (tON): 140ns
  • 关闭时间 (tOFF): 110ns
• 功耗特性:
  • 最大功耗 (Ptot): 2.2W (在TA = 25°C时)
• 接口类型: 表面贴装封装

应用领域

• 消费电子:
  • 电源管理: 用于开关电源、电池充电器等。
  • 家电: 用于电机驱动、加热控制等。
• 工业控制:
  • 电机驱动: 用于变频器、伺服驱动器等。
  • 电源转换: 用于DC-DC转换器、逆变器等。
• 汽车电子:
  • 车载电源: 用于车载充电系统、电池管理系统等。
  • 照明控制: 用于LED驱动、前灯控制等。
• 通信设备:
  • 电源模块: 用于基站、路由器等通信设备的电源管理。
  • 信号处理: 用于高速信号切换和放大。