NRVB140SFT1G

芯片基本信息

• 型号: NRVB140SFT1G
• 封装类型: SOD123
• 制造商: ON Semiconductor

技术规格

• 类型: 集成电路 (IC)，N沟道增强型 MOSFET
• 工作电压:
  • 栅源电压 VGS​: ±20 V
  • 漏源电压 VDS​: 140 V
• 最大漏极电流 ID​: 1.1 A（连续），2.2 A（脉冲）
• 最大栅极电荷 QG​: 15 nC
• 导通电阻 RDS(on)​: 1.8 Ω
• 最大结温 TJ​: -55°C to +150°C
• 最大存储温度 TSTG​: -65°C to +150°C
• 封装尺寸: 3.1 mm × 1.6 mm × 1.0 mm
• 引脚间距: 1.27 mm
• 引脚数: 3

主要功能

• N沟道增强型 MOSFET: 单个N沟道MOSFET，适用于高效开关和负载控制应用。
• 高耐压: 最大漏源电压为140 V，适用于高压电源管理场景。
• 低导通电阻: 在 ���=10�VGS​=10V 时，导通电阻为1.8 Ω，减少功率损耗，提高效率。
• 快速开关能力: 低栅极电荷，确保快速开关，适用于高频应用。
• 小尺寸封装: SOD123 封装，节省空间，适合紧凑设计。
• 高可靠性: 通过严格的测试和认证，确保长期可靠运行。

应用领域

• 电源管理:
  • 高压DC-DC转换器: 用于高压开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的开关元件，提高转换效率。
  • 负载开关: 用于高压负载开关和电源路径管理，实现快速响应和低功耗。
• 信号切换:
  • 高压模拟开关: 用于高压模拟信号切换，确保信号的完整性和低失真。
• 电机控制:
  • 高压电机驱动: 用于高压电机驱动和控制，实现精确的速度和位置控制。
• 汽车电子:
  • 高压车身控制模块: 用于高压车身控制模块中的开关和保护电路，提高系统的可靠性和安全性。
  • 高压LED照明: 用于高压汽车LED照明系统中的驱动和保护电路，确保照明效果和寿命。
• 工业控制:
  • 高压继电器替代: 用于高压继电器替代，实现更高效的开关和更长的使用寿命。
  • 高压传感器接口: 用于高压传感器接口，确保信号的准确传输和处理。