IRFR3910TRPBF

芯片基本信息

Infineon Technologies 是一家全球领先的半导体公司，专注于汽车、工业和多市场应用。IRFR3910TRPBF 是一款 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于电源管理和电机控制等领域。

• 型号: IRFR3910TRPBF
• 品牌: Infineon Technologies (英飞凌科技)
• 封装类型: TO-252 (也称为 DPAK 或 SMD-3)

技术规格

• 类型: N 沟道 MOSFET
• 最大漏源电压 (VDS): 100V
• 最大栅源电压 (VGS): ±20V
• 最大漏极电流 (ID): 20A (脉冲), 8.2A (连续)
• 导通电阻 (RDS(on)):
  • 在 VGS = 10V 时，最大 17 mΩ
  • 在 VGS = 4.5V 时，最大 22 mΩ
• 工作温度范围:
  • 结温 (TJ): -55°C 至 +175°C
  • 存储温度 (TSTG): -65°C 至 +150°C
• 封装尺寸: 6.15 mm × 4.25 mm × 1.5 mm (TO-252)
• 封装引脚:
  • 1: 源极 (Source)
  • 2: 栅极 (Gate)
  • 3: 漏极 (Drain)

主要功能

• 高耐压: 最大漏源电压为 100V，适用于高压应用。
• 大电流能力: 最大漏极电流为 20A（脉冲），8.2A（连续），适合大功率应用。
• 低导通电阻: 在 VGS = 10V 时，导通电阻仅为 17 mΩ，减少导通损耗，提高效率。
• 高温度稳定性: 结温范围为 -55°C 至 +175°C，适用于高温环境。
• 快速开关特性: 快速的开关速度，减少开关损耗，提高系统效率。
• 低栅极电荷: 降低驱动电路的复杂性和功耗。

应用领域

• 电源管理:
  • 开关电源 (SMPS): 用于 DC-DC 转换器、反激式变换器等。
  • 电池充电器: 用于锂电池充电器、太阳能充电器等。
• 电机控制:
  • 直流电机驱动: 用于电动工具、家用电器等。
  • 步进电机驱动: 用于打印机、扫描仪等。
• 工业控制:
  • 逆变器: 用于太阳能逆变器、UPS 系统等。
  • 继电器替代: 用于高频率切换应用。
• 消费电子:
  • LED 照明: 用于 LED 驱动器、调光控制器等。
  • 音频放大器: 用于高功率音频放大器。