L6387ED013TR
L6387ED013TR
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

L6387ED013TR

L6387ED013TR 芯片基本信息

品牌与型号

  • 品牌:意法半导体(STMicroelectronics)
  • 型号:L6387ED013TR

封装与类型

  • 封装形式:SOP-8
  • 类型:高压半桥栅极驱动器

技术规格

  • 工作电压:最高可达600V,适用于高电压环境下的应用。
  • 逻辑电源电压:4.5V 至 15V
  • 工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 输出电流:峰值电流可达1.5A
  • 最小导通时间:200ns
  • 死区时间:可调,最小为100ns
  • 保护功能:内置欠压锁定(UVLO)、短路保护、过热保护等。

 

主要功能

核心功能

  • 高压驱动能力:能够直接驱动高功率MOSFET或IGBT,特别适合于逆变器、电机控制等大功率应用。
  • 灵活的逻辑输入:支持标准CMOS或TTL逻辑电平输入,方便与其他数字电路集成。
  • 高级保护机制:多种内置保护功能确保在异常条件下设备的安全运行。
  • 低静态电流:有助于降低整体功耗,适用于对效率有较高要求的应用场景。
  • 快速响应:短的最小导通时间和可调节的死区时间,使得L6387ED013TR能够在高频开关应用中保持高效性能。

 

应用领域

典型应用场景

  • 工业控制:如交流电机驱动器、伺服控制器等,用于实现精确的速度和位置控制。
  • 电源管理:在开关电源、不间断电源(UPS)等设备中作为关键的驱动组件。
  • 汽车电子:用于电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)的电动机驱动系统。
  • 家电产品:如空调、洗衣机等家用电器中的变频控制模块。
  • 能源转换系统:例如太阳能逆变器、风力发电系统中的功率转换环节。

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