FDS6675BZ

FDS6675BZ 芯片基本信息

基本参数

• 型号: FDS6675BZ
• 制造商: Fairchild Semiconductor（现为onsemi的一部分）
• 类型: P沟道功率MOSFET (P-Channel PowerTrench MOSFET)
• 封装: SOP-8

技术规格

• 额定电压 (VDS): -30V
• 最大电流 (ID): -11A
• 导通电阻 (RDS(ON)): 10mΩ @ VGS = 10V, 20V
• 阈值电压 (Vth): -1.42V
• 栅源电压 (VGS): ±20V
• 栅极电荷 (Qg): 62nC
• 反向恢复时间 (trr): 19ns
• 开关时间 (ton/off): 26ns/175ns（最大）
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C

主要功能

• 低导通电阻: FDS6675BZ 具有非常低的导通电阻（10mΩ），可以显著降低功率损耗和温升，提高系统效率。
• 高耐压: 额定电压为-30V，能够承受较高的反向电压，适用于高压应用。
• 大电流能力: 最大电流为-11A，适合需要大电流驱动的应用。
• 快速开关速度: 开关时间为26ns/175ns，反向恢复时间为19ns，确保在高频开关应用中表现出色。
• 低栅极电荷: 栅极电荷仅为62nC，有助于减少开关损耗，提高整体效率。
• 宽工作温度范围: 可在-55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作，适用于严苛的环境条件。

应用领域

• 电源管理: 如DC-DC转换器、开关电源、电池管理系统等，提供高效的电源管理和转换。
• 电机控制: 适用于电机驱动和控制电路，提供精确的电流控制和高效的功率传输。
• 汽车电子: 用于车载电子设备，如车灯控制、座椅调节、空调系统等，确保系统的可靠性和安全性。
• 工业控制: 在工业自动化设备中用于开关控制、负载驱动等，提供稳定的工作性能。
• 通信设备: 在通信基站、路由器等设备中用于电源管理和信号切换，确保通信系统的稳定性和高效性。
• 消费电子: 如笔记本电脑适配器、智能手机充电器等，提供高效、可靠的电源解决方案。