NTB6413ANT4G

芯片基本信息

• 制造商：ON Semiconductor（安森美半导体）
• 封装类型：TO-263（D²PAK），是一种大电流、高功率表面贴装器件封装，通常有5个引脚。
• 工作温度范围：一般工业级器件的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。
• 工作电压：该型号的最大漏源极电压 (VDS) 为 60V。

主要功能

• 最大漏极电流：连续漏极电流 (ID) 可达 117A，在脉冲条件下可以承受更高的电流峰值。
• 低导通电阻：具有非常低的导通电阻 (RDS(on))，典型值在毫欧级别，有助于减少传导损耗，提高效率。
• 快速开关特性：由于其低栅极电荷设计，能够实现快速开关，适合高频应用。
• ESD保护：内置静电放电 (ESD) 保护，增强了器件的鲁棒性。
• 功耗特性：由于其高效的开关特性和低导通电阻，使得该 MOSFET 在高功率应用场景中也能保持较低的发热水平。

应用领域

• 消费电子：例如电源适配器、充电器中的开关元件。
• 通信设备：如基站电源转换器、电信设备中的高效电源管理。
• 工业控制：用于电机驱动、伺服控制系统等要求高可靠性和高效率的应用场合。
• 汽车电子：包括电动汽车的逆变器、DC-DC 转换器及其他车载电源管理系统。
• 太阳能光伏系统：作为光伏逆变器中的关键组件，帮助实现从直流到交流的高效转换。