IPB019N08N3G
IPB019N08N3G
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

IPB019N08N3G

芯片基本信息

  • 制造商:英飞凌科技 (Infineon Technologies)
  • 型号:IPB019N08N3G
  • 封装类型:TO-263-7(也称为 D²PAK-7),这是一种表面贴装器件封装,具有七个引脚。
  • 工作电压:最高漏源极电压 (VDS) 为 80 V。
  • 工作温度范围:通常从 -55°C 至 +175°C 的结温范围。

 

主要功能

  • 最大连续漏极电流:在 25°C 环境温度下可达 40 A(具体取决于散热条件)。
  • 低导通电阻:典型值约为 4.2 mΩ @ VGS=10V,在开关应用中提供高效的性能,并减少热损耗。
  • 快速开关特性:优化的栅极电荷设计,使得开关速度更快,适用于高频操作环境。
  • 内置二极管:具备反向恢复时间短的体二极管,有助于简化电路设计并提高系统效率。
  • ESD 保护:内部集成静电放电保护机制,增强产品可靠性。

 

应用领域

  • 电源管理:如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器等,用于高效地调节和分配电力。
  • 电机驱动:在电动车辆、工业自动化设备中的电机控制系统里,实现精确的速度控制和位置控制。
  • 可再生能源系统:例如太阳能逆变器、风力发电系统的功率调节单元,帮助将产生的能量有效地转化为可用形式。
  • 消费电子产品:如笔记本电脑适配器、平板充电器等便携式设备的电源部分,确保稳定供电的同时减小体积。
  • 汽车电子:包括电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)内的各种电气系统,如电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)等。

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