MURS360BT3G

基本信息

• 制造工艺：基于肖特基势垒技术，该技术提供了低正向电压降(Vf)和快速恢复时间。
• 工作电压：额定反向电压(VR)为40V，意味着它可以承受最高40伏特的反向电压而不至于被击穿。
• 工作温度范围：典型的工作结温范围是从-55°C到+175°C，表现出良好的高温性能。
• 封装类型：SMB（小型轮廓中等屏障），这是一种常见的表面贴装器件(SMD)封装形式，适合自动化生产和紧凑型设计。

主要功能

• 处理速度/特性：MURS360BT3G拥有非常低的正向压降，在室温条件下通常小于0.42V@30A，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
• 接口类型：作为二极管，其主要接口是阳极(A)和阴极(K)，用于连接电路中的不同部分。
• 功耗特性：由于其高效的开关行为和低导通电阻，这款二极管能够有效降低能量损失，并且在高频应用中表现出色。

应用领域

• 消费电子：广泛应用于各种电源转换器、适配器以及充电设备中，如笔记本电脑电源、智能手机快充模块等。
• 工业控制：在不间断电源(UPS)、电机驱动器和其他工业电源管理系统中，用作高效的整流元件。
• 通信设备：在网络服务器电源、基站电源等领域，提供可靠的整流解决方案。
• 汽车电子：用于车载充电系统、LED照明驱动器以及其他需要高效直流转换的应用场合。