FDS6675BZ

基本信息

• 制造工艺：使用了先进的半导体制造技术，以确保低导通电阻和高效率。
• 工作电压：该 MOSFET 的漏源极耐压 (VDS) 可达 60V，使其适用于中等电压应用。
• 工作温度范围：一般情况下，这类器件的工作结温范围为 -55°C 至 +150°C，适用于广泛的工业环境。
• 封装类型：SOP-8（Small Outline Package），这是一种表面贴装式封装，具有较小的外形尺寸，适合紧凑设计。

主要功能

• 处理速度：作为 MOSFET，它具有非常快的开关速度，适合高频开关应用。
• 存储容量：MOSFET 不涉及存储容量这一参数，但它的栅极电荷量较小，有助于提高工作效率。
• 接口类型：三端子器件（源极、栅极、漏极），直接用于电路中的功率路径控制。
• 功耗特性：由于其较低的导通电阻（RDS(on)），在大电流条件下也能保持较低的发热水平，从而降低整体系统功耗。

应用领域

• 消费电子：电源适配器、充电器等设备中的高效 DC-DC 转换器。
• 工业控制：电机驱动、逆变器等需要精确电流控制的应用。
• 汽车电子：车身控制系统、辅助驾驶系统的电源管理模块。
• 通信设备：基站电源、服务器电源等对可靠性要求高的场合。