MMDL770T1G
MMDL770T1G
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

MMDL770T1G

基本信息

  • 制造工艺:基于先进的硅基肖特基势垒技术,确保了高效的导电性和可靠性。
  • 工作电压
    • 最大反向电压 VR​:70V,适用于多种高低压应用场景。
  • 最大平均整流电流:1A,在持续工作中能够承受一定的电流负荷。
  • 工作温度范围:支持从 -65°C 到 +175°C 的结温范围,能够在极端环境下稳定运行。
  • 封装类型:SOD-323 封装,具有两个引脚(阳极 A 和阴极 K),适合表面贴装技术 (SMT),有助于实现紧凑型设计。

 

主要功能

  • 处理速度:由于其快速的开关特性,MMDL770T1G 可以在高频应用中保持较低的开关损耗,提高效率。
  • 存储容量:二极管不涉及数据存储功能;其核心在于提供高效的电流单向导通。
  • 接口类型:两端子结构,分别是阳极 (Anode) 和阴极 (Cathode),用于控制电流的方向。
  • 功耗特性:具备低正向电压降(典型值约为0.4V),减少了导通状态下的功率损失,提高了系统的整体效率。

 

应用领域

  • 消费电子:如手机充电器、平板电脑适配器中的整流元件,以及便携式设备内的过压保护电路。
  • 工业控制:应用于电源供应器、电机驱动器中的整流和保护电路,以及各种类型的开关电源模块。
  • 汽车电子:车身控制系统、LED 照明系统、电池管理系统 (BMS) 中的关键整流组件,提供高效的能量转换与保护。
  • 通信设备:在网络服务器、基站电源模块和其他电信基础设施中,负责高效的直流输出和保护功能。

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