MM3Z11VT1G

基本信息

• 制造工艺：使用先进的硅基技术制造，确保了高可靠性和快速响应特性。
• 工作电压：
  • 最大反向工作电压 VRWM​：11V，适用于需要在该电压范围内提供保护的应用场景。
• 峰值脉冲功率：600W（对于 10/1000μs 波形），能够在短时间内吸收大量能量，从而保护后端电路不受损害。
• 工作温度范围：支持从 -55°C 到 +150°C 的结温范围，适合在广泛的环境条件下使用。
• 封装类型：SOD-323 封装，这种小型化设计非常适合于空间受限的设计中进行表面贴装 (SMT)。

主要功能

• 处理速度：MM3Z11VT1G 具备非常快的响应时间，通常小于 1ps，可以在瞬态事件发生时迅速启动保护机制。
• 存储容量：作为保护元件，它不涉及数据或电荷的存储，而是专注于提供即时的过电压防护。
• 接口类型：两端子结构，分别是阳极 (Anode) 和阴极 (Cathode)，用于连接到需要保护的电路节点。
• 功耗特性：在正常操作条件下，TVS 二极管几乎不消耗功率；仅当遇到过电压情况时，它会暂时性地导通以分流多余的能量，之后自动恢复到高阻状态。

应用领域

• 消费电子：如智能手机、平板电脑及其他便携式设备中的 ESD 保护，确保用户接触界面的安全性。
• 工业控制：为自动化设备和工业计算机内的通信接口提供可靠的过电压保护，增强系统的稳定性和耐用性。
• 汽车电子：在车辆内部的传感器网络、信息娱乐系统及其它电子模块中起到关键的保护作用，防止因外部干扰导致的功能失效。
• 通信设备：在网络路由器、调制解调器等设备的数据线路上实施保护措施，保障信号传输的质量和可靠性。