MBRA340T3G
MBRA340T3G
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

MBRA340T3G

基本信息

  • 制造商:ON Semiconductor(安森美半导体)
  • 型号:MBRA340T3G
  • 封装类型:SMA (Surface Mount Aluminum Electrolytic)

 

主要功能与特性

  • 类型:肖特基二极管(Schottky Diode)
  • 最大正向电流 (IF):3A(在25°C时)
  • 最大反向电压 (VR):40V
  • 最大峰值正向浪涌电流 (IFSM):81A(半正弦波,10ms)
  • 最大反向恢复时间 (trr):非常短,适合高频应用,具体数值请参考数据表。
  • 正向电压降 (VF):低至0.43V(在3A时),有助于减少功耗和发热。
  • 工作温度范围:从-55°C 到 +175°C,适用于极端环境条件下的应用。
  • 特性:无铅、符合RoHS标准,确保环保合规性。

 

应用领域

  • 电源管理:用于开关电源、DC-DC转换器中的整流或保护电路。
  • 汽车电子:在汽车电气系统中作为保护元件,防止电池极性接反或其他异常情况。
  • 工业控制:用于各种工业设备中的电源部分,提供高效能的整流解决方案。
  • 通信设备:在网络基础设施设备中起到关键作用,如服务器电源模块中的整流组件。
  • 消费电子产品:在充电器、适配器等产品中用于提高效率和可靠性。
  • 太阳能逆变器:用于光伏系统中,帮助提高系统的整体效率。

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