STD18NF03L

基本信息

• 制造商：STMicroelectronics（意法半导体）
• 型号：STD18NF03L
• 封装类型：TO-252 (也称为DPAK)

主要功能与特性

• 类型：N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物场效应晶体管）
• 最大漏源电压(Vds)：30V，表示该MOSFET能够承受的最大电压差。
• 最大栅源电压(Vgs)：±20V，指施加在栅极和源极之间的最大安全电压范围。
• 连续漏极电流(Id)：在不同工作条件下有所不同，例如，在Ta=25°C时为18A；而在Tc=25°C时则为46A。这反映了器件在不同散热条件下的承载能力。
• 导通电阻(Rds(on))：在Vgs=10V时典型值为3.9mΩ，低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率。
• 总栅极电荷(Qg)：典型值为37nC，影响开关速度及驱动要求。
• 工作温度范围：从-55°C 到 +175°C，适合广泛的工业和汽车应用环境。

应用领域

• 电源管理：如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)，用于高效能的电力转换。
• 电机控制：应用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路中，实现精确的速度和位置控制。
• 照明系统：包括LED驱动器，提供稳定电流以确保LED灯亮度的一致性和寿命。
• 消费电子产品：如家用电器中的功率调节和保护电路。
• 工业自动化：用于各种工业控制系统中的信号放大和开关操作。
• 汽车电子：适用于车载电子设备，如引擎控制单元(ECU)、车身控制模块(BCM)等，满足严苛的工作环境需求。