STD35NF06T4
STD35NF06T4
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

STD35NF06T4

基本信息

  • 制造商:ST(意法半导体)
  • 型号:STD35NF06T4
  • 封装类型:TO-252 (DPAK),这是一种常见的表面贴装型封装

 

主要功能与特性

  • 类型:这是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要用于开关应用。
  • 工作电压:漏源极最大电压VDS为60V,适用于中低压应用场景。
  • 工作温度范围:通常支持从-55°C 到 +175°C的工作结温范围,适合在广泛的环境下使用。
  • 封装特点:TO-252是一种小型、高效的表面安装器件封装,具有良好的散热性能。

 

核心功能

  • 低导通电阻:RDS(on)典型值为4.8mΩ(在VGS=10V条件下),有助于降低功率损耗,提高效率。
  • 快速开关特性:具备较低的栅极电荷Qg,使得开关速度更快,减少开关损耗。
  • 高雪崩能量能力:能够承受一定的反向恢复能量,增强了器件的耐用性和可靠性。
  • 简化设计:由于其优秀的电气特性,可以减少外部元件数量,简化电路设计。
  • 环保材料:符合RoHS标准,采用无铅焊接工艺。

 

应用领域

  • 消费电子产品:如智能手机充电器、平板电脑适配器等电源转换设备中作为开关元件。
  • 通信设备:例如基站电源模块中的DC-DC转换器,提供高效稳定的电力管理。
  • 工业自动化:用于各种电机驱动和控制电路,确保精确且可靠的电流控制。
  • 汽车电子:如电动车辆的电池管理系统(BMS)、车载充电机(OBC)等,满足汽车行业对可靠性的严格要求。
  • 计算机及外设:如笔记本电脑电源供应单元(PSU)、固态硬盘(SSD)电源管理模块等,支持更高效的电力分配。

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