IDB06S60C

基本信息

• 制造商：Infineon（英飞凌）
• 型号：IDB06S60C
• 封装类型：TO-263-3（D²PAK），这是一种表面贴装型封装，适用于高功率密度的应用。
• 引脚配置：三个引脚，分别为D（漏极）、S（源极）、G（栅极）。

技术规格

• 制造工艺：采用先进的沟槽式场效应晶体管（Trench MOSFET）技术。
• 工作电压：
  • 漏源击穿电压（VDS）：最高可达600V。
• 连续漏极电流（ID）：在不同温度下有不同的额定值，例如，在Ta=25°C时，典型值约为6A；而在结温Tj=100°C时，可能有所降低。
• 栅极阈值电压（VGS(th)）：通常在2V至4V之间。
• 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=10V条件下，典型值为0.08Ω左右。
• 工作温度范围：-55°C 至 +175°C，适合极端环境条件下的应用。

主要功能与特性

• 低导通电阻：有助于减少传导损耗，提高效率。
• 快速开关特性：具备较低的输入和输出电荷，支持高频操作，适用于开关电源等高频应用场合。
• 高雪崩能量能力：增强了器件在异常情况下的鲁棒性，如短路保护或负载突变情况下。
• 优异的热性能：得益于优化的封装设计，能够有效散热，保证长时间稳定运行。

应用领域

• 消费电子：用于笔记本电脑适配器、平板充电器等便携式设备的电源转换电路中。
• 工业控制：作为电机驱动器、伺服控制器中的关键功率元件，实现高效能的动力传输。
• 通信设备：应用于基站电源、服务器电源模块等，提供稳定的电力供应。
• 汽车电子：适用于电动汽车的车载充电系统、DC/DC转换器等，确保可靠性和安全性。