STTH30R03CG-TR
STTH30R03CG-TR
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

STTH30R03CG-TR

基本信息

  • 制造商:意法半导体(STMicroelectronics)
  • 型号:STTH30R03CG-TR
  • 封装类型:TO-263-3(也称为D²PAK),这种封装具有较大的散热面积,适用于需要高效散热的大电流应用场合。
  • 产品系列:属于功率MOSFET系列,用于开关和功率管理应用。

 

技术规格

  • 制造工艺:采用先进的硅基CMOS技术,确保高性能与可靠性。
  • 工作电压
    • 漏源极击穿电压(VDS):通常为40V或以上。
  • 连续漏极电流(ID):在不同温度条件下有不同的额定值,例如,在+25°C时可能高达30A。
  • 栅极阈值电压(VGS(th)):典型值约为2V至4V之间,这决定了开启MOSFET所需的最小栅源电压。
  • 导通电阻(RDS(on)):非常低,有助于减少传导损耗。
  • 工作温度范围:结温范围一般从-55°C到+175°C,能够适应广泛的环境条件。

 

主要功能与特性

  • 高效率:由于其低导通电阻特性,可以在大电流下保持较低的功耗。
  • 快速开关速度:具备快速的开关能力,减少了开关损耗,适合高频应用。
  • 热稳定性:良好的热性能和宽泛的工作温度范围,使得它能够在恶劣环境下稳定运行。
  • 保护特性:内置多种保护机制,如过流保护、短路保护等,提高了系统的安全性。
  • 低栅极电荷(Qg):有助于降低驱动器的复杂度并提高整体效率。

 

应用领域

  • 消费电子
    • 笔记本电脑适配器、手机充电器等电源转换设备中的功率级元件。
  • 工业控制
    • 工业自动化系统中的电机驱动器、伺服控制器等需要精确控制电流的应用。
  • 汽车电子
    • 汽车电气系统中,如电动窗、座椅调节、ABS防抱死系统等需要高效功率管理的地方。
  • 通信设备
    • 电信基站的电源模块,服务器和数据中心的冗余电源供应单元。
  • LED照明
    • LED驱动电路,特别是在要求高效能和长寿命的应用场景中。

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