H5TC4G63EFR-RDN

基本信息

• 制造商：SK hynix（SK海力士）
• 型号：H5TC4G63EFR-RDN
• 封装类型：BGA（球栅阵列封装），具体为 FBGA（细间距球栅阵列）
• 工作电压：
  • VDD 和 VDDQ：1.35V ± 0.05V，属于低电压 DDR3 (DDR3L) 类型。
• 工作温度范围：商业级产品通常为 0°C 到 +85°C；工业级产品则可能覆盖更宽泛的工作温度区间。

主要功能特性

• 存储容量：4 Gb (512 MB)，即每个芯片可以存储 512 兆字节的数据。
• 组织结构：x8/x16 数据宽度，意味着它支持 8 位或 16 位的数据总线宽度。
• 速度等级：标称频率为 1600 MT/s（百万次传输/秒），对应于 DDR3-1600 标准。
• 引脚数：该型号采用 78-Ball FBGA 封装。
• 功能特性：
  • 支持自动刷新、自定时刷新等功耗管理特性。
  • 内置温度传感器用于监控芯片温度。
  • 提供多种省电模式以优化能耗表现。

应用领域

• 笔记本电脑和平板电脑：作为主内存使用，提供快速的数据访问速度同时降低功耗，延长电池寿命。
• 嵌入式系统：如路由器、交换机等网络设备中，因其良好的稳定性和可靠性而被广泛采用。
• 消费电子产品：例如智能电视、游戏机等需要高性能图形处理能力的产品，通过大容量快速存储来增强用户体验。
• 工业控制与自动化：在要求长时间稳定运行且对环境适应性强的应用场景下，如工厂自动化控制系统中。
• 汽车电子：应用于车载信息系统、导航装置等，确保车辆在不同环境下都能获得稳定的性能输出。