MT41K128M16JT-125 AAT:K
MT41K128M16JT-125 AAT:K
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

MT41K128M16JT-125 AAT:K

基本信息

  • 型号: MT41K128M16JT-125
  • 制造商: Micron Technology, Inc.
  • 标识: AAT:K 

 

技术规格

  • 类型: DDR3 SDRAM (Double Data Rate 3 Synchronous Dynamic Random Access Memory)
  • 容量: 128Mb x 16 (等效于16MB的总存储容量)
  • 接口标准: 符合JEDEC DDR3规范
  • 工作电压:
    • VDD = 1.35V 或 1.5V
    • VDDQ = 1.35V 或 1.5V (根据具体应用环境和需求选择)
  • 速度等级: "-125" 表示该器件的最大时钟周期为12.5ns,对应于800MHz的操作频率(DDR3-800)
  • 封装类型: FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) 细间距球栅阵列封装
  • 工作温度范围:
    • 商业级:0°C 至 70°C
    • 工业级:可能支持更宽泛的工作温度范围

 

主要功能特性

  • 数据传输速率: 支持高达1600Mbps的数据传输速率(每个引脚每秒传输的数据量),总带宽可达25.6GB/s(基于x16配置)
  • 突发长度: 支持BL4和BL8两种突发模式,以优化不同应用场景下的性能
  • 预取缓冲区: 内置8n-bit预取架构,增强了内部数据处理效率
  • 低功耗特性: 包括自动刷新、自刷新模式等功能,有助于减少待机和使用过程中的能量消耗
  • 可靠性: 高可靠性的设计确保了在各种复杂环境下的稳定运行

 

应用领域

  • 消费电子产品: 如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中作为主内存使用
  • 服务器和工作站: 提供高性能内存解决方案,适用于需要大量随机访问内存的应用程序
  • 网络通信设备: 在路由器、交换机等关键网络基础设施中提供高速缓存和支持
  • 嵌入式系统: 对于那些对尺寸敏感且要求高效能与低功耗平衡的应用尤为适用

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