NCV4275ADT50RKG-IR01

基本信息

• 型号: NCV4275ADT50RKG-IR01
• 制造商: ON Semiconductor（安森美）
• 封装类型: TO-252-5（DPAK），这种封装形式适用于需要良好散热性能的应用场景。
• 后缀解释:
  • "DT"通常表示采用无铅焊接工艺。
  • "50R"可能指代最大导通电阻(Rds(on))的典型值约为50mΩ。
  • "KG"和"IR01"可能是内部批次或版本控制代码。

技术规格

• 制造工艺: 高效MOSFET技术，旨在提供低导通电阻和快速开关性能。
• 工作电压:
  • 最大漏源电压(Vds): 根据型号，对于该器件而言，大约在30V左右。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 典型值根据数据表而定。
• 工作温度范围:
  • 工业级产品的工作温度范围通常是-40°C至+175°C，适合于广泛的环境条件。
• 最大连续漏极电流(Id): 在不同条件下有不同的数值。
• 导通电阻(Rds(on)): 约为50mΩ，具体数值取决于工作条件。

主要功能特性

NCV4275ADT50RKG-IR01是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为汽车电子应用设计。

• 低导通电阻:
  • 这一特性使得器件在导通状态下能够保持较低的功耗，非常适合用于追求高效能的应用场合。
• 高可靠性:
  • 内部结构优化，增强了热稳定性和抗电应力的能力，确保了长时间工作的稳定性，特别适合汽车环境中严苛的要求。
• AEC-Q101认证:
  • 满足汽车行业对组件可靠性的严格标准，保证了在极端条件下的长期可靠性。
• 紧凑且高效的散热设计:
  • TO-252-5封装不仅节省了PCB空间，还便于散热管理，适应紧凑型设计需求，同时保持良好的散热性能。

应用领域

NCV4275ADT50RKG-IR01具有优良的电气特性和符合汽车级标准的设计

• 汽车电子:
  • 包括但不限于车身控制系统（如车窗升降器、座椅调节）、发动机管理系统、安全系统（如ABS防抱死制动系统）、辅助驾驶系统等。这些应用依赖于高度可靠的电力转换和控制解决方案，尤其是在面对宽温范围和振动挑战时。
• 工业控制:
  • 虽然主要是面向汽车市场，但其坚固耐用的特点也使其成为某些工业控制应用的理想选择，例如电机驱动、电源转换等需要高可靠性和效率的场合。