SSVD5804NT4G
基本信息
- 型号: SSVD5804NT4G
- 制造商: ON Semiconductor（安森美）
- 封装类型: TO-252（也称为DPAK），这是一种常见的表面贴装型封装，适合需要良好散热性能的应用。
技术规格
- 制造工艺: 高效MOSFET技术，旨在提供低导通电阻和快速开关性能。
- 工作电压:
- 最大漏源电压(Vds)：工作电压范围在20V到60V之间。
- 工作温度范围:
- 工业级产品的工作温度范围通常是-40°C至+175°C，适用于广泛的环境条件。
- 最大连续漏极电流(Id): 在不同条件下有不同的数值。
- 导通电阻(Rds(on)): 具体数值取决于工作条件，这类MOSFET通常具有较低的导通电阻，以减少功率损耗。
主要功能特性
SSVD5804NT4G是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高效能应用场景设计。
- 低导通电阻:
- 这一特性使得器件在导通状态下能够保持较低的功耗，非常适合用于追求高效能的应用场合。
- 高可靠性:
- 内部结构优化，增强了热稳定性和抗电应力的能力，确保了长时间工作的稳定性。
- 紧凑且高效的散热设计:
- TO-252封装不仅节省了PCB空间，还便于散热管理，适应紧凑型设计需求，同时保持良好的散热性能。
- 符合行业标准:
- 满足AEC-Q101等汽车级认证标准，这取决于具体型号及其用途，保证了在极端条件下的长期可靠性。
应用领域
- 消费电子:
- 包括但不限于笔记本电脑适配器、智能手机充电器等便携式设备中的电源转换电路。
- 工业控制:
- 电机驱动、电源供应单元（PSU）、不间断电源（UPS）系统等需要高效电力转换和控制的应用。
- 通信设备:
- 服务器、路由器、交换机等网络基础设施中的电源管理系统，这些设备对效率和可靠性有严格要求。
- 汽车电子:
- 如果该型号确实符合汽车级标准，则可用于车身控制系统、发动机管理系统等领域，这些应用依赖于高度可靠的电力转换和控制解决方案。
