1SS362FV(TL3TOJS,E
1SS362FV(TL3TOJS,E
*图片仅供参考,具体参数请以实物/技术规格书为准

1SS362FV(TL3TOJS,E

基本信息

  • 型号: 1SS362FV (也标记为TL3TOJS,E)
  • 制造商: Toshiba(东芝)
  • 封装类型: SOT-723(Small Outline Transistor 723),这是一种小型表面贴装技术(SMT)封装,适用于需要紧凑设计的应用场合。
  • 类别: 这款芯片是一款肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode, SBD),用于各种快速开关和低正向电压降的应用中。

 

技术规格

  • 制造工艺: 使用先进的半导体工艺制造,确保了高可靠性和高效能。
  • 工作电压:
    • 正向压降(Vf)在典型条件下约为0.3V左右,这使得它非常适合于低压降应用。
    • 反向击穿电压(Vr)可以达到40V,适合在一定的反向电压范围内稳定工作。
  • 最大正向电流(Irms):
    • 持续工作的平均整流输出电流为200mA,满足一般中小功率电路的需求。
  • 峰值正向浪涌电流(I FSM):
    • 能够承受高达2A的短时间峰值电流,增强了器件在瞬态条件下的耐受能力。
  • 工作温度范围:
    • 工作结温范围通常是-55°C至+150°C,适应更广泛的温度条件,特别适合工业和汽车等严苛环境使用。
  • 静态电流:
    • 极低的反向漏电流,在室温下通常不超过1μA,有助于减少不必要的功耗。

 

主要功能特性

  • 低正向电压降:
    • 相较于普通二极管,肖特基二极管具有更低的正向压降,减少了导通时的能量损耗。
  • 快速恢复特性:
    • 快速的开关速度和极短的恢复时间,使其非常适合高频应用,如开关电源和DC-DC转换器。
  • 高效率:
    • 因其低正向压降和快速恢复特性,该二极管能够在高频条件下保持较高的转换效率。
  • 高可靠性:
    • 内置保护机制和稳定的电气特性保证了长期使用的可靠性,尤其在高温环境中表现出色。
  • 小型化封装:
    • SOT-723封装既节省空间又便于自动化生产,适合应用于对尺寸有严格要求的产品中。

 

应用领域

  • 消费电子产品:
    • 如智能手机充电器、平板电脑适配器中的整流电路或保护电路。
  • 电源管理:
    • 开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器等电力转换系统中作为同步整流元件。
  • 通信设备:
    • 网络路由器、交换机等设备中的信号隔离或保护电路。
  • 工业自动化:
    • 工业控制系统的电源部分或传感器接口电路。
  • 汽车电子:
    • 汽车内部的各类电源管理系统,如电池监控电路、辅助驾驶系统的电源模块。

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