2SJ360(TE12L)

基本信息

• 型号: 2SJ360 (TE12L)
• 制造商: Toshiba（东芝）
• 封装类型: SOT89（Small Outline Transistor 89），这是一种小型表面贴装技术(SMT)封装，适用于需要紧凑设计的应用场合。
• 类别: 这是一款P沟道功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管），用于高效开关和功率管理应用。

技术规格

• 制造工艺: 使用先进的半导体制造工艺，确保了低导通电阻和高可靠性。
• 工作电压:
  • 漏源极击穿电压(V(BR)DSS)：最高可达50V，适合低压到中压范围内的各种应用。
• 最大漏极电流(ID):
  • 在不同条件下，最大持续漏极电流可达数安培，具体取决于工作温度和其他条件。
• 栅极阈值电压(VGS(th)):
  • 典型值为2.4V至4.0V之间，较低的阈值电压有助于降低驱动功耗。
• 导通电阻(RDS(on)):
  • 在特定的工作条件下（例如在VGS = 10V时），具有非常低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。
• 功率耗散(Ptot):
  • 最大功率耗散取决于封装和散热条件，一般在1W左右。
• 工作温度范围:
  • 工作结温范围通常是-40°C至+150°C，适应更广泛的温度条件，特别适合工业和汽车等严苛环境使用。

主要功能特性

• 低导通电阻:
  • 提供了极低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了转换效率。
• 快速开关速度:
  • 快速的开关特性使其非常适合高频开关应用，如DC-DC转换器和开关电源。
• 内置保护功能:
  • 内置过热保护机制，在极端情况下可以自动关断，以保护器件免受损坏。
• 紧凑封装:
  • SOT89封装既节省空间又便于自动化生产，适合应用于对尺寸有严格要求的产品中。
• 广泛的工作温度范围:
  • 能够在极端温度条件下稳定工作，适用于各种恶劣环境下的应用。
• 低栅极电荷(Qg):
  • 较低的栅极电荷有助于实现更快的开关速度和更高的系统效率。
• 高雪崩能量能力:
  • 可承受一定的反向电压冲击而不损坏，增加了系统的可靠性和鲁棒性。

应用领域

• 消费电子产品:
  • 如智能手机和平板电脑中的电源管理模块，尤其是充电电路和电池管理部分。
• 通信设备:
  • 无线模块、传感器接口等需要高效开关电源的应用。
• 工业自动化:
  • 工业控制系统中的开关电源或负载控制部分，如PLC（可编程逻辑控制器）或其他嵌入式系统。
• 汽车电子:
  • 车载电源管理系统、车身控制模块等内部的开关元件。
• 医疗设备:
  • 各种便携式或固定式医疗仪器中的电源管理和开关控制部分。