EFCH434MKQP3

基本信息

• 型号: EFCH434MKQP3
• 制造商: Toshiba（东芝）
• 类型: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 模块

技术规格

• 制造工艺: 采用先进的IGBT技术
• 工作电压:
  • 集电极-发射极击穿电压 (Vces): 最高可达1200V
• 电流等级:
  • 额定连续集电极电流 (Ic): 约为400A
• 工作温度范围:
  • 结温范围: -40°C 至 +150°C
• 封装类型: QFN（四方扁平无引脚封装）

主要功能

• 高电压与大电流处理能力: 设计用于处理高电压和大电流的应用场景，适用于需要强大电力转换效率的场合。
• 低导通损耗: 优化后的IGBT结构减少了导通时的能量损失，提高了整体系统的效率。
• 快速开关特性: 具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，并提升应用中的动态响应性能。
• 内置热敏电阻: 提供过热保护功能，确保在异常操作条件下模块的安全性。
• 短路耐受时间: 能够承受一定时间内短路情况的发生，增加了系统的可靠性和容错能力。

应用领域

• 工业电机驱动: 在大型工业电机控制系统中作为功率级元件，实现高效的交流/直流转换或逆变控制。
• 可再生能源系统: 广泛应用于风力发电、太阳能光伏发电等新能源领域，负责将产生的电力高效地并入电网。
• 电动汽车: 用于电动车的牵引逆变器中，帮助调节电动机的速度和扭矩，提高车辆的动力性能。
• 不间断电源(UPS): 在UPS系统中扮演关键角色，确保电力供应的稳定性和可靠性，特别是在数据中心和其他对电力要求严格的环境中。