BAS116

基本信息

• 型号: BAS116
• 制造商: NXP Semiconductors（恩智浦半导体）
• 类型: 双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor, BJT)

技术规格

• 制造工艺: 使用标准的硅基双极技术制造
• 工作电压:
  • 集电极-发射极击穿电压 (VCEO): 最高可达50V
  • 集电极-基极击穿电压 (VCBO): 最高可达50V
  • 发射极-基极击穿电压 (VEBO): 最高可达5V
• 电流等级:
  • 连续集电极电流 (IC): 约为20mA
• 功率耗散:
  • 最大功率耗散 (Ptot): 约为100mW
• 工作温度范围:
  • 结温范围: -65°C 至 +150°C
• 封装类型: SOT-323 (SC-88A), 表面贴装小型封装

主要功能

• 低饱和电压: BAS116 晶体管具有较低的饱和电压，这使得它在开关应用中能够减少导通损耗。
• 快速开关特性: 适合需要高频操作的应用场合，例如高速开关电路或脉宽调制 (PWM) 控制器。
• 小信号放大: 适用于需要精确控制和信号放大的场景，如音频前置放大器或传感器信号调理。
• 空间节省设计: 其紧凑的封装形式非常适合于对空间有严格要求的设计。

应用领域

• 消费电子: 在手机、平板电脑和其他便携式设备中作为信号处理元件，实现音量控制、背光调节等功能。
• 通信设备: 用于无线模块中的信号增强和条件反射，确保稳定的数据传输。
• 工业自动化: 在PLC控制系统、机器人技术和工厂自动化系统中充当逻辑控制或驱动元件的角色。
• 汽车电子: 服务于车内各种电子系统，如娱乐系统、车身控制模块等，提供可靠的信号处理和接口转换功能。
• 医疗仪器: 用于便携式医疗设备中的信号采集与处理部分，保证数据的准确性和可靠性。