SMUN5312DW1T1G

基本信息

• 型号: SMUN5312DW1T1G
• 制造商: ON Semiconductor（安森美半导体）
• 封装类型: SOT-363 (SC-89)
• 工作温度范围:
  • 通常为 -55°C 至 +150°C，适用于广泛的工业应用环境。

技术规格

• 制造工艺:
  • 采用先进的半导体制造技术，确保了低导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能。
• 工作电压(VDS):
  • 最大漏源电压可高达 30V，适合低压应用场合。
• 最大连续漏电流(ID):
  • 在 25°C 下，最大连续漏电流可达数安培，具体数值需查阅数据表确认。
• 栅极阈值电压(VGS(th)):
  • 一般在 1.0V 至 2.5V 之间，使得它可以用作逻辑电平MOSFET，兼容多种微控制器或逻辑电平信号直接驱动。
• 导通电阻(Rds(on)):
  • 在 VGS = 4.5V 或 10V 时，具有非常低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。

主要功能特性

• 高能效:
  • 由于其低导通电阻特性，在导通状态下产生的功率损耗较小，有利于提升系统的整体效率。
• 快速开关:
  • 内部结构优化以实现快速开关转换，降低开关损耗，并支持高频操作。
• 紧凑设计:
  • SOT-363 封装小巧，节省PCB空间，适合用于对尺寸有严格要求的设计。

应用领域

• 消费电子产品:
  • 如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块。
• 计算机与外设:
  • 笔记本电脑、台式机内部的电源供应单元（PSU）、USB充电端口保护等。
• 工业控制:
  • 可编程逻辑控制器（PLC）、电机驱动器、逆变器等电力电子系统中的开关组件。
• 通信设备:
  • 网络路由器、交换机等通信基础设施内的电源调节电路。
• 汽车电子:
  • 车载信息娱乐系统、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）等车辆电子系统中的关键元件。