2N7002KT1G

基本信息

• 型号: 2N7002KT1G
• 制造商: ON Semiconductor
• 封装类型: SOT-23，这是一种小型表面贴装式封装，适合紧凑型设计。
• 工作温度范围: 一般为 -55°C 至 +150°C，适用于广泛的环境条件。

技术规格

• 最大漏极电流 (ID): 在特定条件下，如在给定的栅源电压下，MOSFET 可以安全通过的最大连续漏极电流。
• 击穿电压 (VDS): 通常为 60V，这是 MOSFET 能够承受的最大漏源电压，超过此值可能会导致器件损坏。
• 栅极阈值电压 (VGS(th)): 通常在 1V 至 4V 之间，这是使 MOSFET 开始导通所需的最小栅源电压。
• 导通电阻 (RDS(on)): 在特定的工作条件下，如在给定的栅源电压和漏极电流下，MOSFET 导通时的电阻非常低，有助于减少功率损耗。
• 总功耗 (PD): 这是在规定的工作条件下，MOSFET 可以安全耗散的最大功率。
• 结电容 (Ciss, Crss, Coss): 较小，有利于高频操作。

主要功能特性

• 低导通电阻:
  • 低 RDS(on) 减少了导通状态下的功率损耗，提高了效率。
• 快速开关性能:
  • 短的开关时间允许其在高频应用中表现出色。
• 高可靠性:
  • 能够承受较高的温度范围，增加了器件的稳定性和耐用性。
• 紧凑设计:
  • 小巧的封装尺寸使其成为对空间有严格要求的应用的理想选择。
• 静电放电 (ESD) 保护:
  • 内置 ESD 保护增强了器件在处理和使用中的抗静电能力。

应用领域

• 消费电子产品:
  • 如智能手机、平板电脑等便携设备中的电源管理单元和负载开关。
• 计算机与外设:
  • 笔记本电脑、台式机内部的电源转换电路和保护电路。
• 工业控制:
  • PLC、电机驱动器、逆变器等电力电子系统中的开关元件。
• 通信设备:
  • 网络路由器、交换机等通信基础设施内的电源管理和保护电路。
• 汽车电子:
  • 车载信息系统、电池管理系统（BMS）、车身控制系统等。