MM3Z11VT1G

本信息

• 型号: MM3Z11VT1G
• 制造商: ON Semiconductor (安森美半导体)
• 封装类型: SOD-323（Small Outline Diode），这是一种小型表面贴装封装，适用于需要节省空间的应用。
• 工作温度范围: 一般为 -55°C 至 +150°C，能够适应广泛的工业和汽车环境。

技术规格

• 齐纳电压 (VZ): 额定值为 11V，在 IZT=5mA 的条件下。该电压是器件在反向击穿区稳定工作的参考电压。
• 最大功率耗散 (Ptot): 在 Ta=25°C 时为 240mW，这限制了其在实际应用中的最大电流和电压组合。
• 正向电压 (VF): 在 IF=15mA 的条件下，典型值约为 0.8V。
• 峰值脉冲电流 (IPP): 可承受高达 1.7A 的短时间脉冲电流，增强了器件应对瞬态条件的能力。
• 结电容 (CJ): 较小，有利于高频操作性能。

主要功能特性

• 稳定的齐纳电压:
  • 提供精确的电压参考点，用于稳压电路中。
• 低功率消耗:
  • 适合于电池供电设备和其他对功耗敏感的应用。
• 紧凑设计:
  • 小型化封装有利于板级空间优化，便于集成到各种紧凑型产品中。
• 高可靠性:
  • 宽温范围和良好的瞬态电流能力使其适合恶劣的工作环境。

应用领域

• 消费电子产品:
  • 便携式电子产品的电源稳压，如智能手机和平板电脑。
• 计算机与外设:
  • USB 端口保护、电源管理模块中的过压保护。
• 工业控制:
  • 传感器信号调理、开关模式电源 (SMPS) 中的稳压和保护。
• 通信设备:
  • 电信基础设施内的电源转换电路、ESD（静电放电）保护。
• 汽车电子:
  • 汽车电气系统中的电源调节和保护，例如电池充电管理和逆变器。