DAN202UT106

基本信息

• 型号: DAN202UT106
• 制造商: ROHM Semiconductor (罗姆)
• 封装类型: SOT-323
  • 这种封装非常小巧，适合应用于对空间要求严格的电路板设计。

技术规格

• 类型: N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
• 最大漏源电压(VDS):
  • 一般为 60V 或更高，具体取决于型号。
• 最大栅源电压(VGS):
  • 通常在 ±20V 左右。
• 最大连续漏极电流(ID):
  • 在Ta=25°C条件下，典型值可能约为 1.4A。
• 导通电阻(RDS(on)):
  • 在 VGS=10V 时，典型值大约为 1Ω 或更低。
• 工作温度范围:
  • 结温范围一般在 -55°C 至 +150°C。

主要功能特性

• 低导通电阻:
  • 提供了高效的电流传输能力，减少了能量损耗。
• 快速开关速度:
  • 适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、LED 驱动器等。
• 紧凑尺寸:
  • SOT-323 封装有助于节省 PCB 空间，特别适合便携式设备和其他空间受限的应用。

应用领域

• 消费电子产品, 如智能手机和平板电脑中的电源管理电路。
• 工业控制, 比如电机驱动和自动化控制系统。
• 通信设备, 包括路由器和交换机内的电源转换模块。
• 汽车电子, 例如车载充电系统和传感器接口。