FTZ30ET148

基本信息

• 型号: FTZ30ET148
• 制造商: ROHM Semiconductor (罗姆)
• 封装类型: SOT23-5
  • 这种封装特别适合于需要高密度组装的应用场合。

技术规格

• 类型: N-channel Enhancement-mode MOSFET (N沟道增强型MOSFET)
• 最大漏源电压(VDS):
  • 最大值可达 30V。
• 最大栅源电压(VGS):
  • 典型范围为 ±20V。
• 连续漏极电流(ID):
  • 在 Ta=25°C 条件下，通常可以达到 1.4A。
• 导通电阻(RDS(on)):
  • 在 VGS=10V 时，典型值约为 70mΩ。
• 工作温度范围(Tj):
  • 结温范围一般在 -55°C 至 +150°C。
• 功耗(PD):
  • 在 Ta=25°C 下的最大功耗约为 460mW。

主要功能特性

• 低导通电阻:
  • RDS(on) 值较低意味着更小的传导损耗，提高了效率。
• 快速开关速度:
  • 支持高频操作，适用于高效电源转换。
• 紧凑尺寸:
  • SOT23-5 封装有助于节省 PCB 空间，非常适合应用于对空间有严格要求的设计中。
• 优异的热稳定性:
  • 能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。

应用领域

• 消费电子产品, 如智能手机、平板电脑及笔记本电脑中的电源管理电路。
• 工业控制, 包括电机驱动、开关模式电源(SMPS)和其他需要高效开关的场合。
• 通信设备, 例如路由器和调制解调器内的电源调节模块。
• 汽车电子, 例如车身控制系统、LED 驱动和传感器接口等应用。