DAN202UFHT106

基本信息

• 型号: DAN202UFHT106
• 制造商: ROHM Semiconductor (罗姆)
• 封装类型: SOT-23 (Small Outline Transistor - 23)

技术规格

• 最大漏源极击穿电压 (V(BR)DSS):
  • 这是器件在关闭状态下能够承受的最大反向电压。
• 栅极阈值电压 (VGS(th)):
  • 开始开启 MOSFET 所需的最小栅源电压。
• 导通电阻 (RDS(on)):
  • 在特定条件下的漏源极之间的电阻，影响导通损耗。
• 最大连续漏电流 (ID):
  • 设备可以持续通过的最大直流电流。
• 工作结温范围 (Tj):
  • 一般情况下，工作结温范围为 -55°C 至 +175°C（具体数值请参考官方数据表），确保了在广泛环境条件下的可靠性。

主要功能特性

• 低导通电阻:
  • 减少了传导损耗，提高了效率，特别适用于负载开关、DC-DC转换器等应用。
• 快速开关性能:
  • 支持高频操作，适合于开关模式电源(SMPS)和其他需要快速响应的应用。
• 高温操作能力:
  • 支持较高的工作温度范围，增强了器件在恶劣环境中的稳定性。
• 紧凑设计:
  • SOT-23 封装有助于实现小型化和高密度PCB布局。
• 高可靠性:
  • 经过优化以确保长期稳定性和耐用性。

应用领域

• 电源管理, 如电池供电设备中的负载开关、充电电路中的保护开关。
• 通信设备, 包括基站电源、服务器电源等对效率要求高的场景。
• 工业控制, 例如电机驱动器中的保护电路、光伏逆变器等。
• 汽车电子, 用于车载充电系统、LED 照明保护等，特别是在那些需要高效能和小尺寸解决方案的情况下。
• 消费电子产品, 如智能手机和平板电脑内的各种保护和开关功能。