MMBZ20VALFHT116

基本信息

• 制造商: ROHM Semiconductor
• 封装类型: SOT-23 (Small Outline Transistor)
• 产品系列: MMBZ 系列
• 型号: MMBZ20VALFHT116

技术规格

• 最大正向电流 IF (Continuous): 1.0A (在 Tamb = 70°C)
• 峰值正向浪涌电流 IFSM: 5.0A（单脉冲, 10ms）
• 最大反向电压 VR: 20V
• 典型正向电压降 VF: 在 IF = 1.0A 时约为 0.45V（典型值）
• 最大反向漏电流 IR: 在 VR = 20V 和 TJ = 25°C 下小于 1μA
• 工作结温范围 TJ: -55°C 至 +150°C
• 存储温度范围: -65°C 至 +150°C
• 最大功耗 PD: 625mW（在 Tc=70°C）

主要功能与特性

• 低正向电压降：有助于减少导通损耗，提高效率。
• 快速恢复特性：几乎没有反向恢复时间，非常适合高频应用。
• 紧凑型封装：SOT-23 封装适合用于空间受限的应用中。
• 高可靠性：适用于各种严苛的工作环境。

应用领域

• 消费电子产品：如手机充电器、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理电路。
• 工业控制系统：电机驱动、逆变器等需要高效整流或保护的地方。
• 汽车电子系统：由于其宽广的工作温度范围，特别适合车内环境使用，比如车载充电器、LED 照明等。
• 通信设备：基站、路由器等通信基础设施内的 DC/DC 转换器或其他需要高效能功率转换的地方。